設備型號：HSET-S-LA7311
應用范圍：對重摻雜碳化硅（SiC）表面沉積的過渡金屬進行退火，形成良好的歐姆接觸
主要特點：
設備特點：
1、整機模塊化設計與集成，兼容4、6、8英寸薄片晶圓
2、集成自研成熟先進激光整形技術，光斑能量高度均勻、穩定
3、退火后表面均勻、平整，優秀的電學特性及表面形貌特征表現
4、嚴格控制腔體含氧量，有效控制表面碳析出量和分布
5、配置監控與補償系統，監測光學能量穩定性和非退火面溫度
6、配備EFEM傳輸系統，整機符合SEMI標準，支持SECS-GEM通信
主要參數:
| 主要參數 | 可加工晶圓尺寸 | 4inch、6inch、8inch |
| 薄片退火 | 支持 | |
| 光斑整形 | 平頂光 | |
| 光斑均勻性 | >95% | |
| 能量穩定性 | ≤1% | |
| 比電阻接觸率 | ≤5×10-5Ω.cm2 | |
| 表面溫度 | Annealed surface>1500℃,Non-annealed surface<100℃ | |
| 腔體含氧量 | N2/Ar:99.99%,<100ppm@25s | |
| 運動平臺精度 | 直線度:±1μm 重復定位精度:±1μm | |
| 晶圓傳輸 | Automatic transferring(compatible to wafer or wafer/w carrier) |
加工效果：
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