應用范圍：化合物半導體、功率器件、MEMS、射頻集成電路、LED、科研項目、光學器件
主要特點：
設備特點：
1、占地小、穩定性高、操作與維護方便
2、自主可控的技術方案，自主開發的軟件系統，充分滿足定制化要求
3、滿足8寸及以下晶圓需求，可涂3~20000CP光刻膠
4、控制精度高，Ether CAT 通訊，高精度擺臂及傳輸機構，實時控制解決方案
主要參數:
| 主要參數 | 晶圓尺寸（mm） | 50-300mm |
配置 | 勻膠+顯影 | |
適用工藝 | g-Iine、 i- Iine、 PI | |
應用領域 | Compound semiconductor、MOSFET/IGBT Scientific Research、RF-IC、 MEMS、 LED、 OPTICS | |
| 襯底材料 | Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTa03、Li3P04 | |
勻膠膠厚均勻性（1-200CP） | 片內≤±1%，片間≤±1% | |
勻膠膠厚均勻性（200-1500CP） | 片內≤±2%，片間≤+2% | |
勻膠膠厚均勻性（1500-7000CP） | 片內≤±3%，片間≤±3% | |
顯影線條均勻性（≥1um） | 片內≤±1%，片間≤±1% |
歡迎關注公眾號
在線咨詢
電話聯系