設(shè)備型號(hào)：DSI-D-PHS0406-A01
應(yīng)用范圍：LED晶圓
主要特點(diǎn)：
設(shè)備特點(diǎn)：
適用于4-6英寸基底LED硅芯片/藍(lán)寶石芯片生產(chǎn)中的光刻工藝，采用超大曝光視場(chǎng)，大大減少曝光次數(shù)，顯著提高產(chǎn)能；同時(shí)該設(shè)備具有高分辨率、高線寬均勻性等特點(diǎn)。
主要參數(shù):
| 主要參數(shù) | 加工尺寸 | 4”、6“晶圓 |
| 加工速度 | 4", 137pcs/h 6", 110pcs/h | |
| 加工精度 | 分辨率2μm L/S | |
| 平臺(tái)參數(shù) | 定位精度 X: ±200nm Y: ±200nm Z: ±350nm Rx Ry Rz：10urad | |
| 激光器參數(shù) | 光源：2000W UV Lamp，波長(zhǎng)365nm 感光區(qū)域：53*38.5mm 工作照度：>550mW/cm2(New lamp) 光源均勻度：≤3% | |
| Tact time | 4”：43.1秒(第一片)，循環(huán)TT 25.6秒 6”：49.1秒(第一片)，循環(huán)TT 31.6秒 | |
| 稼動(dòng)率 | >95% |
加工效果：
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