設備型號：DSI-D-PHS0406-A01
應用范圍：LED晶圓
主要特點：
設備特點：
適用于4-6英寸基底LED硅芯片/藍寶石芯片生產中的光刻工藝，采用超大曝光視場，大大減少曝光次數，顯著提高產能；同時該設備具有高分辨率、高線寬均勻性等特點。
主要參數:
| 主要參數 | 加工尺寸 | 4”、6“晶圓 |
| 加工速度 | 4", 137pcs/h 6", 110pcs/h | |
| 加工精度 | 分辨率2μm L/S | |
| 平臺參數 | 定位精度 X: ±200nm Y: ±200nm Z: ±350nm Rx Ry Rz：10urad | |
| 激光器參數 | 光源：2000W UV Lamp，波長365nm 感光區域：53*38.5mm 工作照度：>550mW/cm2(New lamp) 光源均勻度：≤3% | |
| Tact time | 4”：43.1秒(第一片)，循環TT 25.6秒 6”：49.1秒(第一片)，循環TT 31.6秒 | |
| 稼動率 | >95% |
加工效果：
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