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Micro LED直顯的技術(shù)融合之路與關(guān)鍵制程剖析

2022年10月08日,由大族半導(dǎo)體自主研發(fā)生產(chǎn)的國(guó)內(nèi)首臺(tái)準(zhǔn)分子Micro LED巨量轉(zhuǎn)移量產(chǎn)設(shè)備進(jìn)駐辰顯光電,進(jìn)入工廠測(cè)試驗(yàn)證階段,標(biāo)志著大族半導(dǎo)體在Micro LED關(guān)鍵技術(shù)裝備研制取得再一重要突破。


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早在2021年11月,由大族半導(dǎo)體研制的國(guó)內(nèi)首臺(tái)固體Micro LED巨量轉(zhuǎn)移量產(chǎn)設(shè)備就已搬入辰顯光電。通過(guò)與辰顯的深度合作,雙方圓滿完成了巨量轉(zhuǎn)移以及修復(fù)的預(yù)研任務(wù),轉(zhuǎn)移良率達(dá)到99.9%,為此次準(zhǔn)分子Micro LED巨量轉(zhuǎn)移量產(chǎn)設(shè)備的順利搬入奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。



加工效果

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? 轉(zhuǎn)移效果良好,轉(zhuǎn)移過(guò)程對(duì)芯片無(wú)損傷;

? Micro LED轉(zhuǎn)移落點(diǎn)精準(zhǔn),位置精度達(dá)到±1μm

? 轉(zhuǎn)移效率可達(dá)2kk/h—100kk/h。


固體Micro LED巨量轉(zhuǎn)移量產(chǎn)設(shè)備的順利測(cè)試以及準(zhǔn)分子Micro LED巨量轉(zhuǎn)移量產(chǎn)設(shè)備的順利搬入,標(biāo)志著大族半導(dǎo)體在新型顯示Micro LED產(chǎn)業(yè)的技術(shù)研究和裝備制造取得了又一關(guān)鍵性的突破,也標(biāo)志著大族半導(dǎo)體在新型顯示Micro LED產(chǎn)業(yè)具備了成熟的成套裝備設(shè)計(jì)和應(yīng)用能力。






行業(yè)發(fā)展,裝備先行。大族半導(dǎo)體一直走在LED顯示行業(yè)裝備的前沿,從2019年開始致力于攻克Micro LED激光相關(guān)加工工藝難題,推進(jìn)Micro LED產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。2020年起,大族半導(dǎo)體陸續(xù)在Micro LED產(chǎn)業(yè)多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)上取得重要突破,現(xiàn)已形成一系列自主創(chuàng)新的關(guān)鍵工藝技術(shù)方案,如激光剝離、激光修復(fù)、激光巨量轉(zhuǎn)移、激光巨量焊接和玻璃拼接等整套解決方案,并具備相關(guān)設(shè)備量產(chǎn)能力。從技術(shù)研究和裝備應(yīng)用領(lǐng)域豐富和完善了公司在Micro LED產(chǎn)業(yè)的布局,為Micro LED產(chǎn)業(yè)提供專業(yè)系統(tǒng)化解決方案。


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大族半導(dǎo)體在Micro LED產(chǎn)業(yè)布局圖


Micro LED激光剝離


該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)從藍(lán)寶石襯底上的特定位置,或是整面剝離氮化鎵、膠材等材料,具備行業(yè)領(lǐng)先性。剝離工藝效果穩(wěn)定,加工良率高,剝離良率可達(dá)99.9%以上。可實(shí)現(xiàn)最小尺寸10μm,間距10μm的芯片加工。基于自動(dòng)CCD校正,可滿足對(duì)不同規(guī)格產(chǎn)品精準(zhǔn)識(shí)別定位,配備超高精度運(yùn)動(dòng)平臺(tái),全閉環(huán)控制,有效提高系統(tǒng)單位時(shí)間內(nèi)的產(chǎn)能,并且具備激光剝離加工后蓋板與轉(zhuǎn)移基板自動(dòng)分離功能。該款設(shè)備已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。


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Micro LED激光修復(fù)

激光修復(fù)設(shè)備可以在Micro LED的制造過(guò)程中篩選出有缺陷的芯片并進(jìn)行修復(fù),是Micro LED制程中的關(guān)鍵設(shè)備。此款激光修復(fù)設(shè)備可以讀取AOI檢測(cè)數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)對(duì)任意位置的不良芯片進(jìn)行修復(fù)。修復(fù)效率高,Wafer/donor基板上MicroLED芯片去除的效率為2kk/h;Substrate基板上MicroLED芯片去除的效率為1k/h;Donor/substrate基板上MicroLED芯片轉(zhuǎn)移修復(fù)的效率達(dá)到2kk/h。


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Micro LED激光巨量轉(zhuǎn)移

此款設(shè)備為國(guó)產(chǎn)首臺(tái)量產(chǎn)Micro LED巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備,采用激光轉(zhuǎn)移技術(shù),利用特殊整形后的方形光斑,結(jié)合高速振鏡掃描,可以實(shí)現(xiàn)高速加工,將芯片逐一轉(zhuǎn)移到下層基板(玻璃或者膜材)上。

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Micro LED激光巨量焊接

此款設(shè)備通過(guò)整形光斑可實(shí)現(xiàn)對(duì)加溫區(qū)域的精準(zhǔn)控制,避免整版全部加熱產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力,可以實(shí)現(xiàn)溫度實(shí)時(shí)反饋,對(duì)溫度進(jìn)行精準(zhǔn)控制。采用高精度的對(duì)位系統(tǒng),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)位精度±1.5μm,效率高,且焊點(diǎn)質(zhì)量好,無(wú)曲翹。


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玻璃拼接

大尺寸屏幕通常是由許多個(gè)窄邊框的小尺寸屏幕拼接而成,因而可以制作任意尺寸大小的大屏幕。要實(shí)現(xiàn)大屏拼接,需要制作高質(zhì)量的小尺寸屏幕。在制作的過(guò)程中,許多流程需要激光來(lái)完成。大族半導(dǎo)體結(jié)合自主研發(fā)的ICICLES等工藝技術(shù),自主開發(fā)出了一套集玻璃基板切割、線路刻蝕、保護(hù)膜層切割等需求的大屏拼接技術(shù)方案。此款設(shè)備采用紫外皮秒激光刻蝕線路圖案,無(wú)刻蝕殘留。大族半導(dǎo)體已經(jīng)量產(chǎn)設(shè)備的線寬精度和拼接精度可達(dá)±5μm,正在開發(fā)線寬精度和拼接精度可達(dá)±3μm精度的設(shè)備。


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大族半導(dǎo)體可為客戶提供一整套Micro LED研發(fā)、測(cè)試、量產(chǎn)的激光解決方案。未來(lái),大族半導(dǎo)體將持續(xù)堅(jiān)持自主創(chuàng)新發(fā)展理念,全力攻克Micro LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)難題,加快推動(dòng)Micro LED產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,助力國(guó)家新型顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

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