2022年10月08日,由大族半導體自主研發生產的國內首臺準分子Micro LED巨量轉移量產設備進駐辰顯光電,進入工廠測試驗證階段,標志著大族半導體在Micro LED關鍵技術裝備研制取得再一重要突破。


早在2021年11月,由大族半導體研制的國內首臺固體Micro LED巨量轉移量產設備就已搬入辰顯光電。通過與辰顯的深度合作,雙方圓滿完成了巨量轉移以及修復的預研任務,轉移良率達到99.9%,為此次準分子Micro LED巨量轉移量產設備的順利搬入奠定了堅實基礎。

? 轉移效果良好,轉移過程對芯片無損傷;
? Micro LED轉移落點精準,位置精度達到±1μm;
? 轉移效率可達2kk/h—100kk/h。
固體Micro LED巨量轉移量產設備的順利測試以及準分子Micro LED巨量轉移量產設備的順利搬入,標志著大族半導體在新型顯示Micro LED產業的技術研究和裝備制造取得了又一關鍵性的突破,也標志著大族半導體在新型顯示Micro LED產業具備了成熟的成套裝備設計和應用能力。
行業發展,裝備先行。大族半導體一直走在LED顯示行業裝備的前沿,從2019年開始致力于攻克Micro LED激光相關加工工藝難題,推進Micro LED產業化進程。2020年起,大族半導體陸續在Micro LED產業多項關鍵技術上取得重要突破,現已形成一系列自主創新的關鍵工藝技術方案,如激光剝離、激光修復、激光巨量轉移、激光巨量焊接和玻璃拼接等整套解決方案,并具備相關設備量產能力。從技術研究和裝備應用領域豐富和完善了公司在Micro LED產業的布局,為Micro LED產業提供專業系統化解決方案。

大族半導體在Micro LED產業布局圖
該技術可實現從藍寶石襯底上的特定位置,或是整面剝離氮化鎵、膠材等材料,具備行業領先性。剝離工藝效果穩定,加工良率高,剝離良率可達99.9%以上??蓪崿F最小尺寸10μm,間距10μm的芯片加工?;谧詣覥CD校正,可滿足對不同規格產品精準識別定位,配備超高精度運動平臺,全閉環控制,有效提高系統單位時間內的產能,并且具備激光剝離加工后蓋板與轉移基板自動分離功能。該款設備已實現量產。

激光修復設備可以在Micro LED的制造過程中篩選出有缺陷的芯片并進行修復,是Micro LED制程中的關鍵設備。此款激光修復設備可以讀取AOI檢測數據,實現對任意位置的不良芯片進行修復。修復效率高,Wafer/donor基板上MicroLED芯片去除的效率為2kk/h;Substrate基板上MicroLED芯片去除的效率為1k/h;Donor/substrate基板上MicroLED芯片轉移修復的效率達到2kk/h。

此款設備為國產首臺量產Micro LED巨量轉移設備,采用激光轉移技術,利用特殊整形后的方形光斑,結合高速振鏡掃描,可以實現高速加工,將芯片逐一轉移到下層基板(玻璃或者膜材)上。

此款設備通過整形光斑可實現對加溫區域的精準控制,避免整版全部加熱產生較大的熱應力,可以實現溫度實時反饋,對溫度進行精準控制。采用高精度的對位系統,可以實現對位精度±1.5μm,效率高,且焊點質量好,無曲翹。

大尺寸屏幕通常是由許多個窄邊框的小尺寸屏幕拼接而成,因而可以制作任意尺寸大小的大屏幕。要實現大屏拼接,需要制作高質量的小尺寸屏幕。在制作的過程中,許多流程需要激光來完成。大族半導體結合自主研發的ICICLES等工藝技術,自主開發出了一套集玻璃基板切割、線路刻蝕、保護膜層切割等需求的大屏拼接技術方案。此款設備采用紫外皮秒激光刻蝕線路圖案,無刻蝕殘留。大族半導體已經量產設備的線寬精度和拼接精度可達±5μm,正在開發線寬精度和拼接精度可達±3μm精度的設備。

大族半導體可為客戶提供一整套Micro LED研發、測試、量產的激光解決方案。未來,大族半導體將持續堅持自主創新發展理念,全力攻克Micro LED產業技術難題,加快推動Micro LED產業化進程,助力國家新型顯示產業發展。
