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Micro-LED的封裝方式是使用單顆像素進行獨立封裝，可以將拼接產品的邊框做窄且可以做到拼接縫隙用人眼無法識別，因此在超大尺寸顯示應用市場優勢明顯，有望在高端會議、商業顯示、演播室等場景獲得廣泛應用。在生產制程中，大尺寸屏幕通常是由許多個窄邊框的小尺寸屏幕拼接而成，因而可以制作任意尺寸大小的屏幕，如下圖所示：

由此可見，小尺寸屏幕的拼接工藝在Micro LED大尺寸顯示屏幕的生產中尤為重要。在將小尺寸拼接成大尺寸屏幕時，拼接縫隙過大會嚴重影響顯示面板的畫面整體性，為實現Micro LED顯示產品的無縫拼接和自由擴展，需采用讓邊框達到微米級水平的側邊走線技術。

側面走線技術，即用側面引線的方式將基板正背面的線路導通。簡單來說，采用常規Sputter技術將導電膜層附著在基板側面，再利用激光將導電膜層刻開，形成線路。

大族半導體結合自主研發的ICICLES等工藝技術，開發出一套集保護膜切割、玻璃基板切割、激光清洗、線路刻蝕等應用的大屏拼接側面走線技術方案。其中，激光刻蝕設備采用紫外皮秒激光刻蝕線路圖案，不損傷對側線路、無刻蝕殘留。大族半導體量產刻蝕設備的線寬精度可達±2μm、拼接精度可達±5μm。

激光刻蝕設備

技術優勢：

1、側面走線技術實現了商顯大屏拼接的超小間距，甚至無縫拼接的可能性；

2、市場新型顯示產品要求基板具備輕薄化、低功耗、高導熱率高穩定性的綜合性能，側面走線技術使得玻璃基板在大屏拼接顯示技術上備受歡迎；

3、核心激光加工工藝采用皮秒激光即可實現目前市面上絕大部分導電膜層的加工，具有非常誘人的成本優勢。

截止到目前，大族半導體已完成Micro LED激光剝離、巨量轉移、巨量鍵合、激光修復、大屏拼接玻璃基板加工等核心設備的研發和生產。隨著顯示產業發展進程的不斷推進，我們也持續對自己提出更高的技術要求，不斷優化產品，從產品性能，成本控制等多方面實現突破，為實現Micro LED顯示器的量產作出貢獻，促進新型顯示產業高質量發展。