隨著“中國制造2025”的持續推動，中國半導體行業對國產激光切割技術有著更高的要求，推動其朝著高效率、高精度、高質量方向發展。
大族半導體憑借豐富的行業工藝經驗，不斷探索激光切割應用方案，隨著核心技術的提升及客戶需求多元化，迭代推出最新DA100激光切割系統（以下簡稱DA100）。
DA100是基于Ablation工藝原理進行晶圓切割分離的系統，可對晶圓進行表切（切深≤20μm,切寬可定制），半切（切深≤ 100μm，切寬≤20μm），全切（切深≤200μm，切寬≤30μm）三種分離制程，該系統有如下主要特點：
? 從源頭及加工過程中良好地抑制粉塵、熱影響、回熔、崩邊等對晶圓品質造成影響的不利因素，極大提升產品的良品率。
? 進一步提升加工能力，相較于傳統切割能力，可應對200μm厚度以內的晶圓產品（不同材質切割效果會存在差異）。
? 可選多達5套光路系統方案，應對不同材料的分離工藝。
設備參數
切割原理
激光加工原理：利用激光與材料相互作用產生的物理現象，包括熱學效應與力學效應進行加工。隨著激光功率密度的增加，材料分別經歷加熱、熔化、汽化過程。
工藝流程
支持高精度正背切功能，可應對厚度更大產品。
技術優勢
?涂覆品質
涂覆均勻，能解決切割道膠體沉積不完整，芯片上殘留氣泡等問題，切割清洗后無污染。
?修邊工藝
可將回熔高度清理至≤3μm，通過特殊工藝可將回溶高度清理至更低。
? 切割能力
可應對各種小尺寸晶粒切割需求（以100 μm thick GaAs產品切割效果為例）。
產品信息：
Wafer Size: 6’’
Wafer thickness:100μm thick GaAs
Street width:50μm
Street groove depth:15μm
Die pitch:180*180μm
Dicing width: 16±1μm
? 視覺系統
高清下CCD圖像系統優化后分辨率可達0.8μm/pix，可調焦；防止正背切錯位情況出現。
? SEMI認證
通過半導體設備SEMI認證評估（CE SEMI-S2），使用更安全。
? 粉塵處理
5層防護，層層過濾，可應對砷化鎵粉塵。
? 軟件功能
分區，輪次，多通道，多步距切割方式（可應對各種小尺寸晶粒）
MPW晶圓切割方法
殘片及多片切割模式
刀痕對位，切透檢測功能
多達12步定制化涂膠清洗程序
未來，隨著我國激光應用領域的擴展以及應用深度的加深，將對激光切割技術提出更高要求。大族半導體將持續以技術創新、工藝創新、產品創新為驅動，緊盯行業發展趨勢，滿足客戶專業切割需求，助推半導體行業激光應用技術的飛速發展。
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