隨著“中國(guó)制造2025”戰(zhàn)略及各項(xiàng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策的持續(xù)推進(jìn)，我國(guó)傳統(tǒng)制造業(yè)目前處于轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵期，生產(chǎn)制造朝著自動(dòng)化、智能化、多樣化方向發(fā)展。近年，伴隨著半導(dǎo)體行業(yè)工藝制程的不斷技術(shù)升級(jí)，對(duì)晶圓質(zhì)量管控愈發(fā)嚴(yán)格。為實(shí)現(xiàn)晶圓加工的整個(gè)生命周期的溯源管理，可在晶圓或晶粒表面標(biāo)刻清晰的字符、一維碼或二維碼等特定標(biāo)識(shí)，使其具有專屬“身份證”。激光打標(biāo)的高效率、高精度、高性能、無(wú)耗材等優(yōu)點(diǎn)使其成為晶圓標(biāo)記的首選技術(shù)。
為滿足在晶圓上的精細(xì)激光打標(biāo)要求，大族半導(dǎo)體潛心研發(fā)全自動(dòng)晶圓打標(biāo)機(jī)系列產(chǎn)品，憑借精湛的激光工藝，用先進(jìn)技術(shù)賦能精密智造。2023年重磅推出全自動(dòng)（WM-N6）系列最新設(shè)備——WM-N6123A。WM-N6123A沿襲了WM-N6系列的優(yōu)勢(shì)技術(shù)，以高標(biāo)準(zhǔn)滿足客戶多元化的生產(chǎn)需求，結(jié)合市場(chǎng)為客戶量身定制最合適的解決方案，突破了國(guó)內(nèi)晶圓透膜打標(biāo)的新工藝，已在半導(dǎo)體行業(yè)受到了廣泛關(guān)注與應(yīng)用。
設(shè)備型號(hào)：WM-N6123A
對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行激光打標(biāo)，可以在硅、EMC、背金（T1/1K，NI/1K，AG/100K，NI/0.5K）等材料表面標(biāo)記字母、數(shù)字、條形碼、二維碼等多種字符。
● 可對(duì)晶圓進(jìn)行透膜打標(biāo)（支持藍(lán)膜、白膜透膜打標(biāo)）、正面打標(biāo)、背面打標(biāo)、ID打標(biāo)、DIE打標(biāo)；
● 兼容8-12寸裸片晶圓及8-12寸ring環(huán)晶圓；
● 滿足字母、數(shù)字、條形碼、二維碼等各種字符類型標(biāo)記；
● 全自動(dòng)上下料，采用機(jī)械手臂真空吸附，定位精度高；
● 高效檢測(cè)系統(tǒng)，可對(duì)打標(biāo)后的效果進(jìn)行內(nèi)容檢測(cè)以及位置檢測(cè)；
● 可接收客戶打標(biāo)Mapping數(shù)據(jù)，可實(shí)現(xiàn)各種跳號(hào)功能；
● 可與客戶公司系統(tǒng)聯(lián)網(wǎng)，支持SECS/GEM功能；
● 控制系統(tǒng)：振鏡方頭+控制卡、Windows7(Scanner+ControlCard) 、Windows7
● 激光波長(zhǎng)：532nm
● ID打標(biāo)精度：±150μm；
DIE打標(biāo)精度：±75μm；
● 晶圓尺寸：8、12 inch
● Si Wafer ID顆粒增量0.3μm≤15顆(深度≤1.5μm）
● 長(zhǎng)×寬×高：2503×1801×2028mm
● 正面裸片
● 背面(帶膜)
隨著激光技術(shù)的發(fā)展與革新，大族半導(dǎo)體把握行業(yè)發(fā)展機(jī)遇，深入研究和拓展晶圓的激光加工工藝及應(yīng)用，持續(xù)圍繞晶圓制造相關(guān)制程推出系列最新激光解決方案，實(shí)現(xiàn)了高效的生產(chǎn)管理。未來(lái)，大族半導(dǎo)體將始終發(fā)揮工藝技術(shù)引領(lǐng)作用，在激光應(yīng)用領(lǐng)域不斷自主創(chuàng)新，重點(diǎn)聚焦“新技術(shù)、新工藝、新產(chǎn)品”，持續(xù)推動(dòng)集成電路高端裝備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，為實(shí)現(xiàn)“中國(guó)制造2025”的宏偉目標(biāo)貢獻(xiàn)力量。
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