在半導體制造的前沿領域，大族半導體憑借深厚的研發實力和堅持不懈的創新精神，始終致力于激光切割應用方案的深入探索。近日，我司自主研發的DA100-A7 PRO設備成功通過客戶技術驗證并具備量產能力。這款設備突破了傳統半導體制造技術的局限，更是在SiC襯底的切割方面展現出了卓越的性能，完美契合了半導體制程中的多元化需求，一經推出便引起了業界的廣泛關注。
型號：DA100-A7 PRO
第三代半導體SiC晶圓激光表面燒蝕切割，應用于射頻器件、功率器件（有功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT）、新能源汽車、光伏發電、智能電網、軌道交通、射頻通信等領域。
? 全新軟硬件架構，無機差，加工參數一致，品質有保障；
? 更簡潔的分離制程（少一個制程且無需倒膜），可應對200μm厚度以下；
? 下CCD分辨率<1μm，業內最高；尺寸精度更有保障；
? 8寸以下產品兼容，無需更換升級；
? 自研多光路系統，可切換不同光路到達高效加工；
? 全自動上下料，無人值守全自動運行；
? 具備自動涂膠、清洗功能。
大族半導體DA100-A7 PRO設備成功通過客戶技術驗證，不僅是深厚技術實力的完美展現，更是對市場趨勢的精準把握和行業未來發展的深刻洞察。展望未來，大族半導體將持續堅定加大研發投入，致力于推出更多創新且性能卓越的產品，為半導體制造行業的蓬勃發展貢獻更多力量。
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