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設備型號：DSI-S-TC9310
應用范圍：第三代半導體SiC晶圓激光內部改質切割，針對SiC功率器件，RF射頻器件，GaN-on-SiC等SiC襯底晶圓激光切割。應用于微波射頻，消費電子，新能源汽車，電源，充電樁，軌道交通，航空航天，新能源并網等領域。
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主要特點：
設備特點：
1、針對SiC材料特性開發出的光源系統，實現高精度的內部改質切割
2、切割速度快，良好的崩邊控制能力
3、作業無耗材，加工無材料損失
4、全自動作業，兼容4、6英寸晶圓
5、提供系統解決方案，配套裂片、擴片設備
6、SEMI標準，支持SECS-GEM通信
主要參數:
重復定位精度:±1um
定位精度:±1um
加工效果：
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