設備型號：DSI-D-PHA0006-A01
應用范圍：電容電感線路圖形光刻、LED晶圓
主要特點：
1、設備采用高照度、高均勻性的365納米紫外光學系統，實現最小1um光刻分辨率（可根據客戶需求定制、可選用LED光源）
2、采用接近式的工作方式（可選接觸式、真空式），雙工位全自動上下料、24小時持續生產，產能處于業內領先水平
3、獨特的電源調節系統配合電驅動式光源調節系統，可連續不間斷調節曝光功率，完美適配多種生產場景需求
4、搭載高精度CCD相機，實現正面1um精確對位，精密的掩膜版/光刻膠間隙（Gap）控制
主要參數:
| 主要參數 | 加工尺寸 | 曝光尺寸：6"*6" |
| 加工速度 | >140pcs/h（曝光時間=15s） >300pcs/h（曝光時間=3s） | |
| 加工精度 | 曝光分辨率：3μm (支持客戶定制) | |
| 平臺定位精度 | X 軸： ±1μm | |
| Y 軸： ±1μm | ||
| Z 軸： ±3μm | ||
| Theta 軸： 0.1° | ||
| 激光器參數 | 光源：500W UV Lamp，波長365nm (光源可選UVLED或UV汞燈，支持客戶定制) 感光區域：132*132mm (支持客戶定制) 工作照度：≥34mw/cm2 光源均勻度：≤3% 曝光均勻度：≤10% | |
| Tact time | 9s(不包含曝光時間） | |
| 稼動率 | >0.95 |
加工效果：
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