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設備型號：ET12-XS2E2S1A
應用范圍：化合物半導體、功率器件、MEMS、先進封裝、射頻集成電路
設備咨詢
主要特點：
設備特點：
1、利用位置、速度可控的擺臂噴灑化學液，可以有效的提高刻蝕均勻性
2、分層式反應腔體設計，可以在同一腔體中噴灑多種化學液，并能有效回收，節約化液
3、疊層控制，占地面積小，最多可配置4個刻蝕單元
主要參數:
片盒數量
2CS&2LP
配置
4 Etch unit
wafer 類型
圓片
H2O2、強酸堿
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