6月24日，2023年度國家科學技術獎勵大會在北京人民大會堂盛大舉行。大族激光旗下全資子公司大族半導體攜手廣東工業大學等合作伙伴共同研發的“面向高性能芯片的高密度互連封裝制造關鍵技術及裝備”榮獲國家科技進步獎二等獎。
大族半導體與廣東工業大學陳新教授團隊等長期深入產學研合作，突破了半導體激光精細加工技術與裝備多項關鍵技術，形成了行業領先優勢。成果獲得國內國際一流龍頭企業的嚴格認證與產業化應用。項目有力推動了高性能芯片高密度互連封裝制造關鍵技術及裝備的自主可控，為我國電子制造產業的高速發展做出了突出貢獻。
此前，“面向高性能芯片的高密度互連封裝制造關鍵技術及裝備”項目暨“電子器件高密度封裝的微細陣列制造關鍵技術與裝備”項目入選2023年度廣東省科學技術獎技術發明獎一等獎公示名單。
示例機型:DSI-S-TC9212
SDBG工藝主要應用于存儲器封裝過程中的晶圓切割工序。隨著智能手機以及平板電腦的薄型化、大容量化的發展，市場對閃存(Flash Memory)、內存控制器(Memory Controller)薄型化的要求也不斷提升，存儲器晶圓通常為12寸，晶粒最終厚度最薄可達30μm，采用傳統的先研磨減薄后切割的工藝方式容易造成傳輸過程中晶圓碎裂或切割完成后出現崩邊、裂DIE等不良，無法實現可靠量產，采用SDBG工藝可以有效解決上述問題。
● 數位光學空間光同步調制技術
● 優秀的切割品質，高質量低Splash（散射/激光熱影響）
● 高效率高產出，Multi Beam(多光點)切割
● AI深度學習，搭載高精度機器視覺系統
● 高速度高精度運動控制系統技術
大族半導體憑借卓越的技術創新、產學研的深度合作以及研發成果的廣泛應用，榮膺2023年度國家科學技術進步獎二等獎，這一殊榮不僅彰顯了我司技術領域的高度成就，更是對我司產學研一體化模式的充分認可。展望未來，大族半導體將堅守科技創新，持續推動電子制造領域的技術革新與產業升級，為整個產業的高質量發展注入源源不斷的強勁動力。
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