碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表，憑借其高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率及高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等特性，已成為功率半導(dǎo)體（如MOSFET）及射頻器件的核心材料，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源及5G通信等領(lǐng)域。然而，SiC晶圓的高硬度（莫氏硬度9.2）與化學(xué)穩(wěn)定性使其切割工藝面臨巨大挑戰(zhàn)，尤其是晶圓切割道上存在金屬Test key、SiO?等鈍化層或聚酰亞胺（PI）層時(shí)，傳統(tǒng)切割方案效率與良率難以兼顧。這一技術(shù)瓶頸，正成為SiC材料進(jìn)一步拓展應(yīng)用版圖的關(guān)鍵掣肘因素。
晶圓的切割方案有：刀輪切割、鉆石刀切割、激光燒蝕切割、隱形切割等。但面對(duì)SiC材料的高硬度和脆性特性，各類晶圓切割方案都存在各自的短板：刀輪切割存在刀具磨損嚴(yán)重、切割效率低下、切割損耗量大等問(wèn)題；鉆石刀切割存在側(cè)壁垂直度差、產(chǎn)品兼容性差等問(wèn)題；激光燒蝕切割存在加工效率低下、熱影響大、存在熔渣等問(wèn)題；隱形切割存在晶圓背金及表層PI、金屬圖形等材料切割困難等問(wèn)題。這些傳統(tǒng)的切割方案都難以滿足SiC晶圓高質(zhì)量高效率切割的需求。
目前行業(yè)主流的SiC晶圓切割方案為：隱形切割+輔助開(kāi)槽。該組合方案具有較強(qiáng)的晶圓類型兼容性、工藝效果良好、加工效率較高等優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)也存在設(shè)備數(shù)量多、工序復(fù)雜、設(shè)備維護(hù)成本高等不足。
針對(duì)上述現(xiàn)行方案的技術(shù)瓶頸，大族半導(dǎo)體憑借深厚的技術(shù)積累與創(chuàng)新能力，研發(fā)出Di-SyncTM新型激光隱切技術(shù)，該新型技術(shù)是通過(guò)同步完成“內(nèi)部改質(zhì)+界面結(jié)構(gòu)直寫(xiě)”的激光加工工藝，實(shí)現(xiàn)全類型SiC晶圓的高效切割。
Di-SyncTM新型激光隱切技術(shù)，在切割質(zhì)量、加工流程、加工設(shè)備、設(shè)備維護(hù)成本等方面實(shí)現(xiàn)全方位優(yōu)化提升。
? 優(yōu)異的切割效果，無(wú)蜿蜒、無(wú)崩邊；
? PI層、背金層無(wú)拉扯；
? 所有晶粒正常分離，無(wú)雙晶。
大族半導(dǎo)體自主研發(fā)的Di-SyncTM技術(shù)，憑借精湛的工藝整合與突破性的設(shè)備創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)了SiC晶圓切割效率與成本效益的雙重飛躍，這一技術(shù)革新不僅大幅優(yōu)化了生產(chǎn)流程，更為下游器件制造提供高可靠性解決方案。Di-SyncTM技術(shù)同時(shí)還在其他多種襯底材料的半導(dǎo)體晶圓上存在擴(kuò)展應(yīng)用能力。展望未來(lái)，Di-SyncTM技術(shù)將成為引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)變革的關(guān)鍵力量，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展注入源源不斷的強(qiáng)勁動(dòng)力。
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