碳化硅（SiC）芯片目前已在新能源汽車、雷達基站、5G通訊、智能電網等眾多前沿領域展現出極為廣闊的應用前景，成為推動這些行業邁向更高層次、實現轉型升級的核心驅動力。然而，SiC材料高硬度特性給傳統多線切割的襯底加工方式帶來了前所未有的巨大挑戰，材料耗損嚴重、加工效率低下、加工成本高昂等痛點成為制約行業發展的關鍵瓶頸。隨著晶圓尺寸從6inch逐步向12inch拓展，傳統線切割應對更大尺寸晶圓時，所面臨的困境愈發嚴峻。在此行業背景下，SiC晶錠激光剝片技術應運而生，憑借其材料耗損小、出片率高、效率高等巨大優勢，逐漸成為大尺寸SiC晶錠切割領域的主流技術。
然而，激光片技術要在工藝品質上達到卓越水準的同時，還要實現生產效率的高效運行，絕非易事。在2025年5月15日舉辦的行家說（第5屆）車規級8英寸SiC量產技靈活設備匹配，產能利用最大化，設備數量最優資產投資，設備占地靈活部署。術及汽車&數字能源應用大會上，大族半導體產品線總經理巫禮杰先生特別指出，該技術的核心目標是為客戶大幅降低制造成本，而要達成這一目標，需重點把控以下幾個核心要點：出片率（高），加工效率（高），自動化水平（高），加工良率（高），生產耗材（低）。大族半導體憑借強大的研發實力與創新精神，在激光剝片QCB（Qian Ceng Bing）技術基礎上，取得了技術成果的進一步突破：在切割損耗方面，實現8inch 350μm導電型襯底片切割，單片總損耗<70-80μm，單耗<450-470μm(單耗=上次晶錠厚度-剝離1片晶圓后晶錠厚度)，即20mm晶棒，出片數量提升到42-44 pcs；在加工效率方面，實現8inch 350μm導電型襯底片切割，單片作業時間縮短到15min/pcs以內；在加工耗材方面，剝離面平整，粗糙度好，TTV小，對磨輪損傷降低，同等條件下，磨耗比行業平均水平降低40%，降低砂輪耗損；以上技術突破為實現更低損耗、高效率、智能化、自動化晶錠剝片提供保障，進一步全方位降低SiC晶錠切割制造成本。
大族半導體SiC晶錠激光剝片產線自動化裝備采用了先進的模塊化設計理念，這一設計能夠靈活應對8inch、12inch激光剝片的需求，實現了晶錠激光剝片產線自動化生產。
產線裝備經過精心設計與反復優化，各環節緊密銜接，構建起高效、穩定的生產流程。從原材料的上料到成品的下料，每一個步驟都經過精確管控，嚴格確保了產品質量的一致性及穩定性，為大規模生產奠定了基礎。
在工藝制程方面，大族半導體擁有獨特的工藝技術和豐富的實踐經驗。通過獨特工藝技術的精確控制與智能化過程檢測與控制，有效保障了激光剝片作業的高質高效。
8inch單片總損耗<70-80μm，單耗450-470μm(單耗=上次晶錠厚度-剝離1片晶圓后晶錠厚度)。
8inch單片作業時間縮短到15min/pcs以內。
剝離面平整，粗糙度小，砂輪磨耗低。
靈活設備匹配，產能利用最大化，設備數量最優資產投資，設備占地靈活部署。
大族半導體憑借在激光裝備技術領域的領先地位和創新實力，始終秉持高精度、低損傷、高效率、技術創新和成本效益的發展理念，不斷推出具有競爭力的產品和解決方案。未來，大族半導體將堅定不移地走在技術創新和產品研發的最前沿，緊密關注半導體行業的發展趨勢和客戶需求，持續引領半導體行業持續創新與發展！
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